一种复合层ITO膜的LED芯片结构及其制备方法

本发明涉及半导体照明技术领域，具体为一种复合层ITO膜的LED芯片结构及其制备方法，包括从下往上依次设置的衬底、GAN层、P层、ITO底层、ITO中间层以及ITO顶层；其中ITO中间层至少为两层，即中间层一与中间层二；其中ITO底层占镀膜ITO总厚度D为5%‑10%，Hearthcoil设置10A‑15A，离子源低能量、低气流；其中中间层一占镀膜ITO总厚度D为10%‑15%Hearthcoil设置20A‑30A，离子源增加能量、适当气体；其中中间层二占镀膜ITO总厚度D为30%‑40%，Hearthcoil设置30A‑40A，离子源高能量、加大Ar轰击，本申请通过RPD镀膜过程中调整线圈电流搭配离子源装置，形成至少三层的复合型ITO膜层，从而有效缓解应力以及载流子迁移率不足问题，最终得到产品电压降低、光效提高的目的。