一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器

本发明属于氧传感器技术领域，提供了一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器，氧传感器保护层为单层结构，制备方法包括以下步骤：对氧传感器芯片进行基体粗化处理；用固态的造孔剂对氧传感器芯片的进气孔进行封孔保护；控制等离子喷涂氧传感器保护层时的喷涂参数，结合适宜的基体粗糙度，采用双重降温保护措施，制得氧传感器保护层。采用本发明的制备方法获得的氧传感器保护层附着力高、孔隙率和涂层厚度均匀、耐淋水性高、氧传感器芯片的进气孔畅通、信号衰减得到降低，能够满足氧传感器对氧传感器保护层的工作要求，氧传感器避免了失效风险、工作性能更稳定，延长了使用寿命，生产周期短、成本低。