一种功率器件的封装体及其制备方法

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正文
推荐专利
一种功率器件的封装体及其制备方法
申请号:CN202510803804
申请日期:2025-06-17
公开号:CN120319668B
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种功率器件的封装体及其制备方法,涉及半导体技术领域,在本发明的功率器件的封装体的制备方法中,通过设置第一散热器包括导热基板本体、第一散热部、导热连接部以及第二导热部,所述导热连接部的一端连接所述导热基板本体,所述导热连接部的另一端连接所述第二导热部,将各第一散热器分别设置在相应的功率芯片上,且使得各第一散热器的第二导热部设置在存储芯片上。通过上述设置方式,大大降低了制造成本,改变了功率器件封装体的工作方式,有效提高了功率器件封装体的稳定性,且有效延长其使用寿命。
技术关键词
存储芯片 功率芯片 导电电路基板 散热器 导热基板 功率器件封装 导热块 封装体 凹槽 导电焊盘 包裹 温度传感器 衬底 矩阵 掩膜 电镀 气相 石墨
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