一种横向空腔薄膜沉积工艺仿真方法及装置

本发明公开一种横向空腔薄膜沉积工艺仿真方法及装置，涉及半导体工艺仿真模型优化技术领域，以解决现有技术中横向空腔薄膜沉积工艺容易导致半导体器件性能下降甚至失效的问题。方法包括：获取第一目标仿真衬底的轮廓曲线坐标信息；将第一目标仿真衬底作为首次沉积时的目标仿真衬底，按照预设的沉积方法进行N次循环沉积，直至达到预设沉积时间止，得到目标仿真薄膜生长轮廓；从而可以准确地模拟出实际工艺中的横向空腔沉积工艺过程，进而指导沉积工艺参数的优化，提升半导体器件制备性能。