一种多芯片堆叠封装结构及制造方法

本申请公开了一种多芯片堆叠封装结构及制造方法，制造方法包括：根据晶圆连接需求，在金属框架上设计向下连接至下层芯片的焊点以及向上连接至上层芯片的焊点，将晶圆置于标准化金属框架上的焊盘内进行固晶处理，并将晶圆的引脚互连点与焊点通过连接线进行键合，得到电连接模块；对电连接模块进行注塑封装后进行切割处理，形成多个单颗芯片，并对单颗芯片进行测试处理；将多个测试合格的单颗芯片在电路板上进行垂直方向的堆叠处理，并在单个封装腔体内对堆叠结构进行封装，得到多芯片堆叠封装结构。本申请通过垂直堆叠和单一封装腔体封装，实现了高集成度和小型化封装，且金属框架的优异导热性使芯片散热性能提升，延长了芯片使用寿命。