一种散热一体化VCSEL芯片及其制备方法

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一种散热一体化VCSEL芯片及其制备方法
申请号:CN202510811061
申请日期:2025-06-17
公开号:CN120638035A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种散热一体化VCSEL芯片及其制作方法,其中,散热一体化VCSEL芯片包括:设置在衬底一侧的VCSEL结构,VCSEL结构包括发光阵列;设置在衬底背离VCSEL结构一侧表面的散热装置;散热装置利用帕尔特效应,使VCSEL芯片工作时通过衬底传输至冷端的热量,可直接通过电流径向转运到热端进行散热,实现散热一体化VCSEL芯片,进而提高了VCSEL芯片的近场均匀性、产品性能及可靠性,还可减小封装尺寸,提高光电器件的集成度。制作方法采用芯片工艺将具有热电薄膜阵列的散热装置与VCSEL结构集成在同一衬底上,其制作简单、制备成本低、便于规模化生产。
技术关键词
VCSEL芯片 热电薄膜 VCSEL结构 散热装置 半导体层 衬底 散热结构 发光阵列 电极结构 绝缘导热材料 放射状 焊盘 光电器件 长度尺寸 沟槽 延长线
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