一种用于半导体的高介电常数高性能膜及其制备方法

本申请涉及高介电聚合物膜材料领域，具体公开一种用于半导体的高介电常数高性能膜及其制备方法。一种用于半导体的高介电常数高性能膜由以下重量份的原料制得：均苯四甲酸二酐35‑45份、4,4’‑二氨基二苯醚30‑40份、碳纳米管20‑30份、溶剂50‑70份、柔韧剂5‑8份和催化剂0.5‑1.5份；制备方法：S1、均苯四甲酸二酐、4,4’‑二氨基二苯醚、碳纳米管、溶剂、柔韧剂和催化剂反应制得聚酰胺溶液；S2、聚酰胺溶液流延涂布于基材，升温亚胺化反应。本申请制得的高介电常数高性能膜适用于半导体芯片封装中，具有较高的介电常数，弯折不易变形，长期使用不易出现边缘分离的问题。