多波长硅光发射芯片

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多波长硅光发射芯片
申请号:CN202510816278
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120335085B
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光学元件领域,尤其涉及一种多波长硅光发射芯片,其输入波导用于输入双波段的光信号。第一多模干涉耦合器连接于输入波导,用于将来自于输入波导的双波段的光信号分配至两路传输路径。每一路传输路径包括硅光调制器和两个第二多模干涉耦合器。硅光调制器通过波导连接于两个第二多模干涉耦合器之间。硅光调制器包括反偏电极和两个高频电极,两个高频电极位于波导的相对两侧并与波导相连,反偏电极位于波导的中部。高频电极包括沿第一方向布置的多段子电极,多段子电极包括主体部、连接部和端部。连接部和端部连接于主体部沿第二方向上的一侧,连接部与端部形成T字型结构。端部向着波导的方向延伸,并连接于波导。实现了高速信号调制。
技术关键词
硅光调制器 亚波长光栅结构 波导 耦合器 传输路径 金属电极 T字型结构 芯片 多波长 相移器 双波段 P型掺杂区 高频探针 平板 二氧化硅 尺寸
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