应用于超导量子芯片铟柱的非均匀自动布置方法与装置

本公开的实施例公开了应用于超导量子芯片铟柱的非均匀自动布置方法与装置。该方法的一具体实施方式包括：对多边形信息集对应的各个多边形与各个相似多边形进行几何联合操作，以生成统一几何表示与各个多边形对应的内部区域集；对统一几何表示与内部区域集分别进行缓冲区扩展；根据统一几何表示扩展缓冲区、内部区域集扩展缓冲区与定义分析区域，确定超导量子芯片中的铟柱可放置区域；在铟柱可放置区域内创建规则网格点，并对每个网格点添加随机偏移量，在铟柱可放置网格点区域内非均匀布置铟柱。该实施方式可以通过非均匀分布策略优化铟柱布局，引入随机偏移打破规则网格模式，改善超导量子芯片的热传导特性，避免局部热点和热传导不均匀问题。