MOS管芯片和MOS管芯片的封装方法

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MOS管芯片和MOS管芯片的封装方法
申请号:CN202510820349
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120709258A
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供了一种MOS管芯片和MOS管芯片的封装方法,该MOS管芯片包括:包括至少两个子芯片、多个片间互连件、多个引脚和封装层,至少两个子芯片垂直堆叠,每个子芯片包括至少一个MOS管,至少两个子芯片中MOS管的相同极通过片间互连件电连接,MOS管的不同极与不同的片间互连件电连接,封装层包覆至少两个子芯片和多个片间互连件,引脚的第一端与片间互连件电连接,引脚的第二端暴露在封装层外,每个片间互连件与至少一个引脚电连接。本申请实施例提供的MOS管芯片可以实现芯片间不受芯片面积和打线封装规则限制的垂直堆叠互连。
技术关键词
芯片 背面金属层 MOS管 金属走线 布线 封装方法 通孔 正面 载板
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