一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆

本申请提供了一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆，方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底上形成需求阻挡膜层；按照预设图案，刻蚀出贯穿所述需求阻挡膜层并侵入所述硅衬底的凹槽；所述预设图案为正方形；在所述凹槽内生长锗外延层；通过配备有光学显微镜的机台采集凹槽底部的监控图像，并通过所述监控图像判断锗外延工艺过程中所述凹槽底部的平整度。通过设计一结构图案并按照该结构图案对晶圆进行刻蚀，该结构图案能够有效表现刻蚀出的凹槽的底部情况，使得凹槽的底部平整度能够在光学显微镜下被有效观察到；这样，无需切片处理，通过光学显微镜即能够及时地对凹槽的底部平整度进行监控，节约时间和成本。