芯片中电容阵列的电容测量装置和方法

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芯片中电容阵列的电容测量装置和方法
申请号:CN202510826639
申请日期:2025-06-19
公开号:CN120336101B
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片中电容阵列的电容测量装置和方法,通过对传统的电容测量电路进行优化设计,采用基于纵横线互电容的差分电容测量技术,对每两个互电容之间的容差进行处理分析,来提升微小电容变化的捕捉能力。通过向相邻发射电极施加相位相反的激励,利用电流相消原理提取电容差异,有效消除电路器件工艺偏差和环境温度漂移的影响,利用差分电容测量模块将nA量级复合电流信号转换为电压,结合高通和低通滤波消除直流偏移,确保高增益下的信号稳定性;采用频域信号处理模块提取激励的幅值和相位,将模拟信号转换为数字信号,将噪声影响降至最低,以生成高熵密钥,测量结果鲁棒性和精确度高,抗干扰能力较强。
技术关键词
电容阵列 频域信号处理 结型场效应晶体管 双相锁相放大器 跨阻放大器 低通滤波器 交流放大器 电极 高通滤波器 微控制器 电容测量方法 全差分放大器 变换电路 模块 芯片 消除直流偏移 输入端
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