电容式MEMS声发射传感器芯片结构及其制备工艺

本发明提供了电容式MEMS声发射传感器芯片结构及其制备工艺，由底部电极、介电层、牺牲层、顶部膜层及锚点组成，通过相位反转设计，在保持高灵敏度与平坦通带的同时大大增强了抗噪声能力。在工艺上依次通过基板清洁、底电极形成、介电层沉积、牺牲层与锚区沉积、顶膜层形成与牺牲层释放步骤，结合多层光刻胶工艺与XeF2干法刻蚀，实现厚金属膜剥离与牺牲层释放。本发明实现可控空腔结构及高性能振动膜的集成与平坦通带，使其在结构健康监测、工业设备的无损检测方面极具应用前景。