摘要
本发明属于存储器领域,具体涉及一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片。CIM电路的存算阵列由多个D8T单元阵列排布而成;D8T单元由左右镜像布置的两个8T‑SRAM单元构成。8T‑SRAM单元包括由2个PMOS管和2个NMOS管构成锁存结构,以及连接存储节点以及外部分离字线和位线之间的四个传输管。量化电路可以实现存储与运算过程的不同输出,并可以增加逻辑门实现更多运算逻辑。本发明利用D8T单元执行三值乘法运算;同列的多个D8T单元执行三值MAC运算;D8T单元构成具有读写分离功能的存储单元;同列的三个8T‑SRAM构成执行布尔运算的布尔逻辑单元。本发明解决了现有CIM电路难以满足多种运算功能的需求,以及在功耗和面积上存在不足的问题。
技术关键词
SRAM单元
量化电路
位线
逻辑运算电路
输入端
锁存结构
存储单元
编码规则
灵敏放大器
栅极
电路封装
存储阵列
模式
逻辑门
镜像
节点
芯片
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