热阻抗参数提取方法、晶元温度获取方法、装置及设备

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热阻抗参数提取方法、晶元温度获取方法、装置及设备
申请号:CN202510834555
申请日期:2025-06-20
公开号:CN120974798A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种热阻抗参数提取方法、晶元温度获取方法、装置及设备。包括:搭建自动控制系统的有限元仿真模型;搭建自动控制系统的半实物仿真模型;设置半实物仿真模型的仿真条件;根据仿真条件,使用半实物仿真模型进行半实物仿真,得到第一仿真数据,第一仿真数据包括所述目标功率半导体的第一损耗数据;将第一损耗数据输入至有限元仿真模型中,并进行有限元仿真,得到第二仿真数据;根据第一仿真数据和第二仿真数据确定目标散热器的热阻抗参数。由此可知,第一损耗数据是通过半实物仿真获取得到,且第一损耗数据能真实反映目标功率半导体的瞬态发热状况,进而使得获取到的目标散热器的热阻抗参数的精度较高。
技术关键词
仿真数据 半实物仿真模型 自动控制系统 半导体 散热器 热阻抗 温度获取方法 热网络模型 参数提取方法 损耗 参数提取装置 功率器件 计算机设备 存储器
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