碳化硅MOSFET多芯片并联均流的定量补偿计算方法及相关装置

本发明公开了一种碳化硅MOSFET多芯片并联均流的定量补偿计算方法及相关装置，包括：构建多芯片并联MOSFET的等效电路模型,提取封装结构中互连结构的等效寄生参数；将所述等效电路模型划分为漏极寄生阻抗网络、栅极寄生阻抗网络及源极寄生阻抗网络；根据所述互连结构的等效寄生参数计算漏极寄生阻抗网络、栅极寄生阻抗网络及源极寄生阻抗网络的补偿参数；根据漏极寄生阻抗网络、栅极寄生阻抗网络及源极寄生阻抗网络的补偿参数分别对漏极寄生阻抗网络、栅极寄生阻抗网络及源极寄生阻抗网络进行补偿，该方法及相关装置能够实现碳化硅MOSFET多芯片并联均流的定量补偿。