GaN-HEMT外延结构、GaN器件晶圆与驱动晶圆的集成芯片及制备方法

本发明提供了一种GaN‑HEMT外延结构、GaN器件晶圆与驱动晶圆的集成芯片及制备方法，GaN‑HEMT外延结构包括功能衬底，以及依次设置于所述功能衬底上的介质层和第一外延层，所述第一外延层包括依次设置于所述介质层上的GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述介质层用以将所述GaN沟道层与所述功能衬底键合。本发明能够提高基于GaN‑HEMT外延结构制得的GaN器件的长期稳定性和可靠性。