轴向低压降高电压快恢GPP二极管制造方法

本发明涉及一种轴向低压降高电压快恢GPP二极管制造方法，步骤为：材料准备，材料表面处理，封装处理，焊接，玻璃钝化、模压和老化，回流焊、二次老化。本发明使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化芯片，低温焊接，焊接气孔更小，正向压降和电压一致性更好了克服隧道炉焊接气孔过大的问题，通过本发明生产的3000V以上高压二极管产品，最小可以降低0.3V，最大可以降低0.7*nV(n是整流管芯片数)正向压降。在相同芯片尺寸下，本发明生产的产品开关时间可以更快，正向压降可以更小，本发明生产芯片的成本大大下降，扩金减少30％以上～50％。