一种磁存储与磁计算并行集成的工艺实现方法

本发明公开了一种磁存储与磁计算并行集成的工艺实现方法，属于集成电路制造领域领域，其具有步骤如下：S1、底电极构建与介电填充；S2、差异化MTJ堆栈构建，S3、双段分区退火；S4、后段互连与封装。本发明设提出全片轻量化堆栈沉积后定向刻蚀、再局部补充重型堆栈的方法，可形成两种不同膜厚和材料组合的MTJ器件；采用硬掩膜隔热与快速短时热退火相结合的分区退火方案，实现了MRAM区高温结晶与p‑bit区低温保持双重目标。通过差异化堆栈与分区退火两大核心技术，本发明可在同一芯片上集成高ΔMRAM存储单元与低Δp‑bit概率计算单元，无需分离工艺线或附加外部模块，从而显著降低芯片面积与系统成本。