具有高抗过载性能的微加速度传感器芯片及其制备方法

本发明公开了具有高抗过载性能的微加速度传感器芯片及其制备方法，属于硅微加速度计领域，包括键合连接在一起的上盖板、下盖板、敏感芯片。所述敏感芯片包括固定外框与两个惯性感测单元，每个惯性感测单元包括两个惯性质量块，每个质量块外侧有向外延伸与固定框架相连的结构支撑梁、其内侧有与另一质量块相连的中间支撑梁；中间支撑梁的上下两侧，由敏感微梁将两个惯性质量块相连。每个质量块下方布置有抗过载结构，在大冲击下，其与固定框架上的止挡间隙接触以抵抗冲击带来的结构破坏。过载结构布置在对称的弯曲‑拉压组合敏感结构上，不仅可以产生大的末端位移易于止动间隙加工，且可以保障传感器高频响高灵敏度特性。