一种基于多物理约束神经网络的MOSFET器件建模方法及相关设备

本发明公开了一种基于多物理约束神经网络的MOSFET器件建模方法及相关设备，其中方法包括：获取MOSFET器件正常工作状态下的各项数据，对获得的数据进行预处理，以得到训练多物理约束神经网络模型所需的数据集；构建多物理约束神经网络模型，将电荷平衡和输送方程作为物理约束，加入模型的设计和训练过程，以实现物理约束神经网络建模；使用数据集迭代训练多物理约束神经网络模型，直至模型的考核指标满足预设要求。本发明将垂直沟道方向的电荷平衡条件和载流子输送方程，作为物理约束引入MOSFET神经网络模型设计和训练过程，能够准确拟合MOSFET器件的工作时的行为特性。本发明可广泛应用于集成电路技术领域。