一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法

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正文
推荐专利
一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法
申请号:CN202510864246
申请日期:2025-06-26
公开号:CN120371225B
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明所提供的面向SRAM加固的兼顾性能和可靠性的细粒度写请求处理方法,包括如下步骤:接收外部写请求后,判断所述外部写请求是否为细粒度写请求,若其为细粒度写请求,将所述细粒度写请求转化为读请求;根据细粒度写请求将对应的细粒度写数据与读请求对应的读返回数据合并,将合并后的数据项以满写请求方式写入SRAM。相比于现有技术,本发明通过将细粒度写请求转化为读请求,充分利用了SRAM的传输带宽,减少了资源浪费,实现了数据加固;而在写处理过程中,主要的读写端口与SRAM保持一致,降低了调整RTL代码的难度并减少了验证时间;同时支持与匹配不同的纠错算法。
技术关键词
写请求 数据项 缓冲 旁路 纠错算法 标识 信号 场景 端口 资源
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