一种全光谱芯片外延结构及其生长方法

本发明属于LED芯片技术领域,公开了一种全光谱芯片外延结构及其生长方法，外延结构包括衬底，以及依次层叠于衬底上的buffer层、U‑GaN层、N型GaN层、多光谱发光量子阱组、P型GaN层，多光谱发光量子阱组包括由下至上依次分布的第一光谱发光量子阱层、第二光谱发光量子阱层、第三光谱发光量子阱层，每相邻两个光谱发光量子阱层之间设有调制调谐阱组。本发明通过在不同类型阱间插入调制调谐阱，通过应变和能带工程调控分隔不同发光阱的载流子分布，避免不同MQW串扰，大幅度降低光效和光谱衰减。