垂直型GaN基外延结构及其制作方法和氮化镓HEMT器件

本发明公开了一种垂直型GaN基外延结构及其制作方法，包括生长衬底、形成于所述生长衬底上的二硫化钨缓冲层、形成于所述二硫化钨缓冲层上的氮化镓缓冲层、形成于所述氮化镓缓冲层上的GaN高阻层、形成于所述GaN高阻层上的氮化镓外延层。本发明还公开了对应的氮化镓HEMT器件。与现有技术相比，在生长衬底和氮化镓外延层下侧的氮化镓缓冲层之间使用二硫化钨作为缓冲层，而二硫化钨缓冲层的层状晶体结构具有良好的面内共价键，可通过面外相互作用以减少应力，可有效调控氮化镓外延层的厚度均匀性，并有效降低垂直漏电，以及芯片封装好后的散热问题。