一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片，在主结末端设置包括多个场限环的场限环结构，通过在场限环结构与芯片边缘之间形成尾部沟槽，并且设置尾部沟槽的第一侧壁倾角小于16°，尾部沟槽的第二侧壁延伸至芯片边缘，由多个结终端扩展区覆盖场限环区域，并且延伸至尾部沟槽，从而结合场限环、结终端扩展区和沟槽结构，在保证器件耐压性能的情况下，有效缩小终端长度，减少芯片的面积占用。