垂直腔面发射激光灯及其制备方法

本发明涉及半导体制造技术领域，解决了现有激光灯制造技术制造的激光灯存在的发光效率低下的问题，提供了一种垂直腔面发射激光灯及其制备方法。该方法包括：对清洁后的基板进行平整度优化处理；在所述基板表面进行材料层交替沉积，形成第一反射单元，第一反射单元包括第一材料层和第二材料层；在基板表面沉积第二反射单元；在第一反射单元与量子阱层之间沉积第一应变补偿层，并在第二反射单元与量子阱层之间沉积第二应变补偿层，得到发光芯片；将封装层覆盖在发光芯片的出光侧表面，并将发光芯片键合固定于基板上；对基板与基座进行键合，得到各激光灯珠；对各激光灯珠进行后处理，得到垂直腔面发射激光灯。本发明提升了激光灯珠的发光效率。