芯片老化预测方法、装置、设备和存储介质

本申请提供了一种芯片老化预测方法、装置、设备和存储介质，所述方法应用于芯片硅后测试阶段或芯片使用阶段，所述方法包括：获取所述芯片处于工作状态的电压、环境温度、运行时长，以及频率退化率趋势影响因子，所述频率退化率趋势影响因子与测试芯片频率时所获取的测试电压相关；基于所述电压、所述环境温度、所述运行时长，以及所述频率退化率趋势影响因子，确定所述芯片的频率退化率。该方法能够更准确地预测芯片的频率退化率，从而实现更准确的芯片老化预测。