半导体器件的大信号建模方法、装置、存储介质和模型

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正文
推荐专利
半导体器件的大信号建模方法、装置、存储介质和模型
申请号:CN202510884054
申请日期:2025-06-27
公开号:CN120805673A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本申请公开一种半导体器件的大信号建模方法、装置、存储介质和模型。半导体器件的大信号建模方法包括:获取半导体器件的第一电压和第一电流,其中,半导体器件包括第一电极和第二电极,第一电压为第一电极和第二电极之间的电压,第一电流为流经第一电极和第二电极之间的电流;建立半导体器件对应的第一模拟模型;获取半导体器件对应的温度变化系数,以及获取半导体器件对应的补偿电流值,其中,温度变化系数和补偿电流值为相互影响的参数;基于第一模拟模型、温度变化系数、补偿电流值、第一电压和第一电流,建立半导体器件的第二模拟模型,其中,第二模拟模型用于模拟半导体器件的电压电流关系。本申请提升了半导体器件对应模拟模型的准确性。
技术关键词
半导体器件 信号建模方法 模拟模型 电流值 大信号模型 参数 电压 电极 数据更新 速率 因子 可读存储介质 建模装置 表达式 存储器 程序 处理器 指令
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