低应力硅基压力传感器芯片及加工方法

本申请涉及压力传感器芯片技术领域，尤其涉及一种低应力硅基压力传感器芯片及加工方法，芯片包括：n型硅衬底、p型压力敏感电阻、钝化层、金属电极层以及键合件；p型压力敏感电阻设置在n型硅衬底顶部的电阻放置槽内；钝化层包括二氧化硅层和氮化硅层，二氧化硅层设置在n型硅衬底和p型压力敏感电阻上，氮化硅层设置在二氧化硅层上；二氧化硅层和氮化硅层上开设有电接触区和应力释放区；电接触区设置在p型压力敏感电阻顶部外端，金属电极层设置在电接触区上；n型硅衬底底部开设有硅杯，以使硅杯上方区域的n型硅衬底构成压力敏感膜片，应力释放区设置在压力敏感膜片的上表面，以解决引入钝化层影响压力传感器芯片的输出和可靠性的问题。