一种永磁聚焦系统退磁行为与束流动力学耦合数值模拟方法

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正文
推荐专利
一种永磁聚焦系统退磁行为与束流动力学耦合数值模拟方法
申请号:CN202510889911
申请日期:2025-06-30
公开号:CN120724903A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种永磁聚焦系统退磁行为与束流动力学耦合数值模拟方法,包括如下步骤:S1:基于Ji les‑Atherton磁滞模型各项参数,编写各项参数与永磁体磁化行为相关的数值方程;S2:以由Maxwel l方程组描述的电磁场分布为媒介,基于电子束发射模型编写永磁阵列自激退磁影响下的束流动力学数值方程;S3:根据电子束运动轨迹更新电磁场分布,结合三组数值方程的输入输出耦合项更新永磁阵列在阴极工作状态下的退磁行为;S4:建立各方程间的数值迭代过程,通过合理设置参数相对容差给出退磁行为与束流动力学耦合计算的跳出条件。本发明可精确量化高功率器件中退磁引发的束流品质退化,为永磁材料选型、聚焦结构优化及可靠性验证提供理论工具。
技术关键词
数值模拟方法 磁滞模型 迭代算法 永磁体 泊松方程 粒子模拟方法 电子束 阵列 参数 饱和磁化强度 包络 动态 损耗特征 束流品质 聚焦结构 横向磁场 阴极
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