IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片

本发明提供了一种IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片，所述方法包括：提供背面减薄后的IGBT晶圆，IGBT晶圆的正面键合有临时载片，IGBT晶圆包括位于中心位置的有效区、位于边缘位置且环绕有效区的无效区；对IGBT晶圆的背面注入第一离子，并对有效区的第一离子执行激光退火，以在有效区形成集电区，及使无效区的第一离子未激活；移除IGBT晶圆的临时载片，暴露IGBT晶圆正面的发射极；利用IGBT晶圆的集电区及发射极进行反偏测试，并获取反偏测试的漏电数据以判断IGBT晶圆的背面是否存在电性异常；对IGBT晶圆执行背面金属化工艺。本申请可简便、高效且及时地监控IGBT晶圆背面的电性异常。