具有高刻蚀均匀性的半导体芯片的制备方法

本公开公开了一种具有高刻蚀均匀性的半导体芯片的制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片的制备方法包括：制备外延层，外延层包括叠设的沟道层和势垒层，沟道层为GaN层，势垒层为AlGaN层；在外延层的一侧制备介质层；通过光刻工艺处理介质层，以在介质层上形成刻蚀孔槽；将介质层作为硬掩膜，刻蚀势垒层，刻蚀气体包括Cl2气体、BCl3气体、CF4气体。本公开实施例能够提升势垒层的刻蚀均匀性。