一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法

本发明公开了一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法，包括：获取正向电流下与反向电流下Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的Cu原子净通量以及Ni‑Cu‑Sn化合物层中的Ni原子净通量；建立Ni原子净通量与Ni‑Cu‑Sn化合物层厚度变化的关系以及Cu原子净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系；建立Ni‑Cu‑Sn化合物、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型；建立Cu焊盘、Sn焊料、Ni层的厚度极性消耗模型；建立微铜柱凸点互连的电阻电迁移退化模型。本发明能够实现镀Ni层的铜柱凸点互连电阻的电迁移退化预测，极大地降低或避免大量的寿命和失效分析试验所产生的时间和经济成本。