光栅耦合器及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
光栅耦合器及其制备方法
申请号:CN202510904015
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120559796A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本申请涉及光电子通信技术领域,公开了一种光栅耦合器及其制备方法,其中,光栅耦合器包括:衬底层;高折射率介质层,设于衬底层上;埋底介质层,设于衬底层与高折射率介质层之间;低折射率结构层,设于高折射率介质层上,低折射率结构层由图案化的低折射率材料构成,用于耦合垂直入射的空间光,以使空间光垂直耦入至高折射率介质层中进行模式转换和横向传输;光栅耦合器的制备方法用于制作光栅耦合器。本申请通过低折射率结构加高折射率介质的设计,只需要将高折射率介质上的低折射率材料图案化,无需对高折射率介质进行复杂的加工,即可获得空间光向导波模式的转换,减小了器件因为工程制备所带来的散射损耗。
技术关键词
光栅耦合器 高折射率介质层 低折射率材料 衍射光栅结构 双光子光刻 光刻胶材料 三维扫描模型 空间光 光电子通信技术 显影结构 周期性 衬底层 高折射率薄膜 电子束光刻胶 折射率结构 单晶硅基底 结构单元
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号