基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源

本发明公开了一种基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源，属于开关电源技术领域，包括：双相电源主控芯片产生各相电源的控制信号；第一、第二相电源主功率半桥电路，根据双面散热MOSFET进行设计，并根据控制信号产生各相电源的输出电压；双相电源主控芯片布设于PCB板背面的中心，第一、第二相电源主功率半桥电路对称布设于PCB板两端；第一、第二相电源主功率半桥电路中构成上管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板正面、构成下管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板背面；第一、第二相电源主功率半桥电路中主功率电感布设于上管电路的双面散热MOSFET的上方，利用功率管上方纵向空间，不占用PCB板面积。