一种结合极性加固和源隔离技术的抗辐照SRAM电路及芯片

本发明公开了一种结合极性加固和源隔离技术的抗辐照SPH‑14T SRAM电路及芯片，其采用了相同同类型晶体管在空间重离子轰击下具有单一翻转特性的极性加固原理进行设计，利用这一设计方法保证了冗余节点S0,S1的稳定性，进而加强了电路内部节点的抗翻转能力。其次通过上拉PMOS管复用，利用源隔离技术提升了结点Q,QB的稳定性，同时该电路使用四个传输晶体管进行读写，当在写入数据的过程中，位线通过传输晶体管N7、N8、N9、N10同时向内部节点Q\QB与S0\S1写入数据，使得存储节点更容易被写入数据，因此该设计大大提高了单元的数据写入速度以及噪声容限(SNM)，仿真结果表明较现有五种SRAM单元，本发明公开的SPH‑14T单元写入速度方面与噪声容限相比于其它五种SRAM都展现了较为突出的优势。