一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的缺陷检测系统

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推荐专利
一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的缺陷检测系统
申请号:CN202510906312
申请日期:2025-07-02
公开号:CN120629324A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的缺陷检测系统,通过交直流磁化模块、TMR传感器、缺陷预测模块的配合设置,交直流磁化模块用于模拟交直流叠加磁场测试环境,形成反向交直流磁饱和磁场,TMR传感器获取待测工件的缺陷信号特征,并将获取的待测工件的缺陷信号特征发送给缺陷预测模块,缺陷预测模块通过分析交流波形的峰值(微米级窄缺陷)、波形宽度(毫米级缺陷),实现20微米至毫米级缺陷的全尺度检测,实现了同一传感器高灵敏度与宽量程的平衡,同时满足了实际检测中对精度和效率的双重需求。同时,本申请通过交直流磁场协同调制:将量程TMR传感器扩展至300 Gs,覆盖从微弱漏磁到强漏磁的全范围。
技术关键词
TMR传感器 缺陷检测系统 缺陷预测 信号特征 待测工件 偏置磁铁 数据存储中心 交流磁场 计算机设备 交直流磁场 人工智能模型 测试设备 交流电 模块 传感器阵列 磁芯 线圈 波形
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