强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法

本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法，包括：正面基区，形成有多个沟槽，每个沟槽的底部有正面发射区，侧墙的上方有门极金属层并包裹钝化层；正面发射区的上方形成有正面电极金属层。针对现有技术中的可控硅器件触发电流一致性差的问题，引入了沟槽结的工艺，在正面基区中制备了多个沟槽结构并形成正面发射区，在沟槽的侧墙顶端形成了门极金属层，从而实现了侧向的触发结构，在相同的芯片面积下，沟槽底部的正面发射区的面积相对于平面型的正面发射区会明显更大，从而降低了导通压降；同时，由于器件的触发电流是通过横向形成的沟槽结来实现的，触发通路更短，可有效降低触发电流跨度。