基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法

本发明公开了基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法，涉及芯片封装技术领域，应用于基于多层金属结构的芯片封装结构包括依循一直线方向设置的芯片基层、多层金属层、电镀层，所述多层金属层包括粘附层、连接层、结合层；包括以下步骤：利用等离子清洗方式进行清洗预处理，并做异变检测与分析，在获取检测数据后会进行第一步异变分析和/或第二步异变分析；利用物理气相沉积工艺进行多层金属层的溅射沉积，并智能调整溅射参数；在多层金属层的顶端表面涂附光刻胶，进行曝光显影；利用电镀工艺沉积厚铜；该方法能够有利于提高各金属层的沉积质量，以确保多层金属结构的稳定性和性能。