一种芯片基板用铜箔表面防氧化处理工艺、专用电解液及其应用

本发明公开一种蕊片基板用铜箔表面防氧化处理工艺，包括以下步骤：将铜箔作为阴极置于电解液中，在直流电场作用下进行电沉积；所述电解液包含硫酸锌、硫酸镍、羟甲基磺酸钠、硼酸、苯甲酸钠、苯并三氮唑和十二烷基硫酸钠；电沉积后在200‑250℃下烘干，于铜箔表面形成锌镍合金防护层。本发明还公开一种采用防氧化处理工艺的铜箔，表面覆盖锌镍合金防护层，经250℃烘烤1小时后无氧化、无色变。通过锌镍合金电沉积形成冶金结合防护层，从根本上避免了传统化学/机械粗化导致的表面掉粉现象。提升界面结合力，合金膜与铜箔基体形成原子级结合，显著增强与其他材料的附着力。单次工艺同步实现导电层强化与防氧化保护，取代传统分步处理的粗化+防氧化工艺。