一种基于改进粒子群优化算法的光刻掩膜优化方法

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一种基于改进粒子群优化算法的光刻掩膜优化方法
申请号:CN202510914103
申请日期:2025-07-03
公开号:CN120469152A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于改进粒子群优化算法的光刻掩膜优化方法,包括:获取光刻掩模图像和目标图像;对所述光刻掩模图像进行霍普金斯光刻仿真,获取仿真图像;计算所述仿真图像和目标图像的偏差,获取图像偏差;基于所述图像偏差,利用改进的粒子群优化法优化对光刻掩模图像进行优化,获取最优掩模,其中,在所述粒子群优化法中引入速度暂停策略,划分双种群并添加交叉变异机制获得所述改进的群优化法。本发明引入速度暂停策略,为粒子的速度更新提供了新的选择,极大提升了算法摆脱早熟收敛的能力。通过划分两个子群,并在第二子群添加交叉变异操作,确保了种群的多样性,显著增强了算法的全局寻优能力。
技术关键词
粒子群优化算法 光刻掩模 光刻掩膜 偏差 脉冲响应函数 全局寻优能力 图像误差 速度 坐标 策略 机制 电场 参数 数据 光源
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