一种嵌入式闪存的控制方法

AITNT
正文
推荐专利
一种嵌入式闪存的控制方法
申请号:CN202510914738
申请日期:2025-07-03
公开号:CN120763096A
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种嵌入式闪存的控制方法,属于嵌入式控制技术领域,包括:数据在线写入:AXI总线接口接收写入指令和写入数据,寄存器控制模块配置相应写入参数;协议转换控制模块将写入数据进行格式转换并缓存;ECC纠错功能模块根据转换后数据生成可纠错数据;Flash控制接口根据写入指令将可纠错数据写入Flash闪存;和/或,数据在线读取:AXI总线接口接收读取指令,寄存器控制模块配置相应读取参数;Flash控制接口根据读取指令从Flash闪存中读取可纠错数据;ECC纠错功能模块可纠错数据进行纠错;协议转换控制模块将纠错后的数据进行格式转换;AXI总线接口将转换后的数据输出,实现了高效灵活的数据读写操作。
技术关键词
AXI总线接口 嵌入式闪存 转换控制模块 纠错 AXI总线协议 闪存控制器 控制接口 功能模块 端口 数据格式 闪存芯片 时钟 指令 嵌入式控制技术 在线编程方法 离线编程方法 接收主机
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号