一种具有大发光面积的LED芯片及制造方法

本申请提供的一种具有大发光面积的LED芯片及制造方法涉及半导体技术领域。该芯片由下自上依次包括透明衬底、键合层、光窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层和N型电流扩展层，N型电流扩展层的上方设置有N型电极，N型电极和N型电流扩展层之间设置有N型欧姆层，光窗口层包括光窗口上侧和光窗口下层，光窗口上侧和光窗口下层之间形成了第一台阶面。光窗口下层的侧面上设置有P型电极。光窗口层和键合层之间形成了第二台阶面。P型电极包括主体部，主体部的上端设置有延伸至第一台阶面的第一延伸部，主体部的下端设置有延伸至第二台阶面的第二延伸部。该芯片能够有效提高同尺寸级别LED的发光面积和发光亮度，从而适应终端产品的需求。