金属焊盘的制备方法、半导体器件

本发明提供一种金属焊盘的制备方法、半导体器件。其中，所述制备方法是预先在金属焊盘的顶表面上形成金属阻挡层，再采用分步刻蚀的方式来打开金属焊盘。即，先刻蚀钝化结构，以形成第一开口。且在这一刻蚀步骤中金属阻挡层作为刻蚀停止层，则刻蚀产生的副产物会附着于金属阻挡层的表面，而非附着于金属焊盘的表面。因而，可采用清洁能力较强的无机酸溶液高效去除副产物，且在金属阻挡层的保护下，不会损伤到金属焊盘的表面。随后，刻蚀去除暴露出的金属阻挡层，即可打开金属焊盘。因此，本发明提供的制备方法既实现对副产物的强力去除，又保护金属焊盘，避免其出现缺陷和损伤，有效保障金属焊盘的电性引出，且利于提高后续的封装效果和芯片良率。