一种背面键合的异质集成芯片及制备方法

本申请提供一种背面键合的异质集成芯片及制备方法，背面键合的异质集成芯片的第一氮化硅波导层设置在硅波导层上；铌酸锂波导层设置在硅波导层背离第一氮化硅波导层的一侧，并与硅波导层耦合：铌酸锂波导层的条状波导设置在硅波导层的一侧，光信号从硅波导耦合到铌酸锂条状波导中。而在铌酸锂中条状波导向脊波导的转化则是通过叉开结构以实现高效率转换。所设计方法能够允许铌酸锂波导采用更大线宽的接触式光刻工艺，有利于降低刻蚀难度与设备成本；同时还将铌酸锂芯片集成在硅光芯片的背面，铌酸锂芯片能够直接与硅波导层进行耦合，有利于减少光信号的损耗。