一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构

本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其是涉及一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构，其包括多层保温组件、坩埚及动态调节机构。保温筒采用双层设计，外层套筒可轴向移动，内筒上下部分直径渐变，结合热场升降功能实现温度梯度精确控制。通过引入温度梯度数学模型优化热场参数，动态调整套筒位置和升降参数以适应不同生长阶段需求，有效抑制籽晶边缘缺陷。本申请提高了晶体生长质量与效率，简化设备结构，降低制造成本，适用于多种规格碳化硅晶体生长，满足高性能材料需求。