超快激光直写可控浸润性的微流控芯片的制造方法

本发明涉及微流控芯片的制造方法，具体涉及超快激光直写可控浸润性的微流控芯片的制造方法。为解决现有技术中存在光刻技术工艺复杂且设备昂贵，或蚀刻技术环境要求高且速度较慢，或聚合物成型技术的加工精度不足，或激光直接加工工序繁琐的不足之处，本发明超快激光直写可控浸润性的微流控芯片的制造方法依次通过待加工样品准备、激光直写扫描刻蚀微流道、移除PET薄膜和微流控芯片键合，最终得到微流控芯片，利用激光直写同时实现微流控芯片的结构设计与制造以及表面纳米结构重构。