Micro-LED外延结构的制造方法及Micro-LED芯片

本申请涉及Micro‑LED制造技术领域，具体涉及一种Micro‑LED器件的制造方法及LED芯片。本申请提供的Micro‑LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：提供工艺中间体，工艺中间体至少包括底部的衬底层和顶部的低温GaN层；在低温GaN层远离衬底层一侧表面形成表面平整的应力释放层；在表面平整的应力释放层远离低温GaN层一侧表面形成量子阱发光层。本申请提供的Micro‑LED器件的制造方法，可制造表面平整的量子阱发光层，有效改善量子阱发光层表面的V型坑造成Micro‑LED器件的发光效果低于理想效果的问题。