基于NV色心的芯片三维温度场层析成像方法与系统

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基于NV色心的芯片三维温度场层析成像方法与系统
申请号:CN202510924511
申请日期:2025-07-04
公开号:CN120820526A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本申请涉及芯片热管理技术领域,公开了一种基于NV色心的芯片三维温度场层析成像方法与系统,该方法包括:步骤S1‑NV色心探针准备,步骤S2‑激光激发及微波调制,步骤S3‑校准及标定,步骤S4‑形貌扫描及接触采集,步骤S5‑逐层扫描,以及步骤S6‑数据融合及可视化显示。该系统与该方法相对应。本申请,基于金刚石及其表面的NV色心阵列的测温技术,利用NV色心自旋态对温度的超高灵敏度响应,结合原子力显微镜平台的纳米级空间操控能力,通过具有NV色心的纳米级探针对芯片进行不同高度的扫描,实现对待测芯片的表面、内部及周围的纳米级空间分辨率温度场成像,具备分辨率高、能够进行三维温度场成像的优点。
技术关键词
三维温度场 层析成像方法 纳米级 检测磁共振 原子力显微镜 探针 待测芯片 线性关系模型 荧光探测器 金刚石 激光模块 层析成像系统 上采样 微波 热管理技术 温控平台 测温主机 双线性插值 卷积算法
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