一种多类型mosfet芯片封装结构

AITNT
正文
推荐专利
一种多类型mosfet芯片封装结构
申请号:CN202510925765
申请日期:2025-07-07
公开号:CN120432461B
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种多类型mosfet芯片封装结构,包括一字排列的基岛,每个基岛连线的一侧分别设有与自身对应的源极管脚、栅极管脚和漏极管脚,栅极管脚和漏极管脚分别置于基岛的两侧,栅极管脚交替的设置在基岛连线的两侧;其中相邻的两个基岛相对应的源极管脚相互电连接;基岛上所固定的mosfet的焊窗与相对应的源极管脚、栅极管脚或漏极管脚电连接。本发明采用按照预定顺序排列的基岛以及基岛相对应的管脚种类,使得本封装器件在更小的面积内容纳更多的mosfet,保证各个栅极管脚之间的有效间距,从而避免当栅极出现电流快速变化的过程中,产生的磁感对相邻的mosfet工作造成影响,从而使得封装能应对更多的电路控制工况。
技术关键词
芯片封装结构 管脚 栅极 连线 封装器件 外延 蚀刻 工况 电流 间距 电路
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号